Inżynierowie IBM zaprezentowali nowatorskie rozwiązanie w dziedzinie budowy tranzystorów o nazwie VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Z jego wykorzystaniem możliwe będzie budowanie układów scalonych zbudowanych z tranzystorów układanych zarówno pionowo jak i poziomo. Tym samym w jednym procesorze możemy mieć do czynienia z tranzystorami o różnej budowie. Mimo iż sam koncept nie jest nowy, to do tej pory nie widzieliśmy żadnego praktycznego wykorzystania podobnej technologii.
Problem stanowiła bowiem dystrybucja energii, która musiałaby się w takich układach odbywać zarówno w pionie jak i poziomie. W tak małych elementach jak tranzystory jest to niezwykle trudne do zrealizowania i dlatego też do tej pory wszystkie tranzystory były układane tak samo (głównie pionowo).
IBM twierdzi, że dzięki nowemu podejściu układy scalone zbudowane na bazie VTFET będą w stanie dostarczyć nawet 2x więcej mocy obliczeniowej niż obecnie produkowane procesory z tranzystorami typu FinFET. Nowe układy będą też mogły być bardziej efektywne energetycznie. Producent uważa, żer przy zachowaniu podobnej wydajności zapotrzebowanie na energię będzie aż o 85% niższe.
Brzmi rewelacyjnie, ale trzeba pamiętać, że IBM nie podał żadnej daty premiery nowego rozwiązania, więc można założyć, że przyjdzie nam na niego jeszcze trochę poczekać.
Źródło: IBM
Hi, this is a comment.
To get started with moderating, editing, and deleting comments, please visit the Comments screen in the dashboard.
Commenter avatars come from Gravatar.